由帶隙能量求吸收/發射波長 使用指南
輸入半導體或材料的帶隙能量 E_g（電子伏特），工具按 λ=hc/E_g 計算對應的吸收或發射光子波長（奈米），便於判斷材料發光的顏色或可被何種波長光激發。
計算公式與原理
λ = h·c/E_g
輸入帶隙能量 E_g（eV），求對應光子波長。
使用步驟
- 填寫「帶隙 E_g (eV)」。
- 結果區會即時更新；可一鍵複製結果用於記錄或彙報。
典型使用場景
- 半導體能吸收的最長波長估算。
- 光伏材料截止波長設計。
- 判斷材料對光的響應範圍。
算例參考
- 矽帶隙 1.12eV：λ=hc/E_g=1240eV·nm/1.12eV=1107nm。矽只能吸收波長<1107nm 的光。
- 砷化鎵 1.42eV：λ=1240/1.42=873nm，對應近紅外，適合紅光合金電池。
注意事項
本工具純前端執行，輸入內容不上傳伺服器；結果為按上述口徑得到的理論估算值。實際應用受裝置引數、測量條件與當地規範影響，請以裝置銘牌、檢測報告與現行標準為準，重大決策建議諮詢專業人士。
- 1240 常數哪來的？
- hc≈1240 eV·nm，故 λ(nm)=1240/E(eV)，便於能帶-波長換算。
- 帶隙小吸收範圍更寬？
- 是；帶隙越小截止波長越長，可吸收更多太陽光（但電壓更低）。