带隙对应波长计算器

Band-Gap Photon Wavelength

Enter the band-gap energy E_g (eV) of a semiconductor or material and compute the corresponding absorbed or emitted photon wavelength (nm) via λ = hc/E_g, to judge emitted color or excitable wavelength.

📐 计算公式
带隙能量先换算 E_J = E_g(eV) × 1.602176634e−19(电子伏→焦耳);光子波长 λ = h×c ÷ E_J(h=6.62607015e−34 J·s、c=2.99792458e8 m/s,结果 ×1e9 折 nm);频率 = E_J ÷ h ÷ 1e12 (THz)。校验:带隙 E_g 为必填有效数值(必填校验壳拦截)。判据:E_g 越大对应光子波长越短、频率越高,能量与波长成反比。

输入带隙能量 E_g(eV),求对应光子波长。

Formula & Standard References

Item Formula / Note Source / Standard
Band-gap wavelengthλ ≈ 1240/E_g(eV) nmSemiconductor optics
Absorption edgeλ_c = 1240/E_g cutoffSemiconductor physics
Direct vs indirectDirect gap radiates efficientlyOptoelectronics
Temperature dependenceVarshni empirical relationVarshni 1967
Common band gapsSi 1.12 eV, GaAs 1.42 eVMaterial data
Detector designDetection below cutoff wavelengthPhotodetector principles
📌 计算说明
  • λ = hc/E_g。
  • Si 带隙 1.12eV → 约 1107 nm(红外)。

📚 深度解析:带隙对应光子波长

💡 常见使用场景

硅带隙 1.12eV
λ=hc/E_g=1240eV·nm/1.12eV=1107nm。硅只能吸收波长<1107nm 的光。
砷化镓 1.42eV
λ=1240/1.42=873nm,对应近红外,适合红光合金电池。

❓ 常见问题(FAQ)

1240 常数哪来的?
hc≈1240 eV·nm,故 λ(nm)=1240/E(eV),便于能带-波长换算。
带隙小吸收范围更宽?
是;带隙越小截止波长越长,可吸收更多太阳光(但电压更低)。