带隙对应波长计算器

← ToolBox / 带隙对应波长计算器
📖 查看「由带隙能量求吸收/发射波长 使用指南」

Band-Gap Photon Wavelength

Enter the band-gap energy E_g (eV) of a semiconductor or material and compute the corresponding absorbed or emitted photon wavelength (nm) via λ = hc/E_g, to judge emitted color or excitable wavelength.

📐 计算公式
λ = h·c/E_g

输入带隙能量 E_g（eV），求对应光子波长。

📌 计算说明
  • λ = hc/E_g。
  • Si 带隙 1.12eV → 约 1107 nm（红外）。

📚 深度解析：带隙对应光子波长

💡 常见使用场景

硅带隙 1.12eV
λ=hc/E_g=1240eV·nm/1.12eV=1107nm。硅只能吸收波长<1107nm 的光。
砷化镓 1.42eV
λ=1240/1.42=873nm，对应近红外，适合红光合金电池。

❓ 常见问题（FAQ）

1240 常数哪来的？
hc≈1240 eV·nm，故 λ(nm)=1240/E(eV)，便于能带-波长换算。
带隙小吸收范围更宽？
是；带隙越小截止波长越长，可吸收更多太阳光（但电压更低）。