由带隙能量求吸收/发射波长 使用指南
输入半导体或材料的带隙能量 E_g（电子伏特），工具按 λ=hc/E_g 计算对应的吸收或发射光子波长（纳米），便于判断材料发光的颜色或可被何种波长光激发。
计算公式与原理
λ = h·c/E_g
输入带隙能量 E_g（eV），求对应光子波长。
使用步骤
- 填写「带隙 E_g (eV)」。
- 结果区会即时更新；可一键复制结果用于记录或汇报。
典型使用场景
- 半导体能吸收的最长波长估算。
- 光伏材料截止波长设计。
- 判断材料对光的响应范围。
算例参考
- 硅带隙 1.12eV：λ=hc/E_g=1240eV·nm/1.12eV=1107nm。硅只能吸收波长<1107nm 的光。
- 砷化镓 1.42eV：λ=1240/1.42=873nm，对应近红外，适合红光合金电池。
注意事项
本工具纯前端运行，输入内容不上传服务器；结果为按上述口径得到的理论估算值。实际应用受设备参数、测量条件与当地规范影响，请以设备铭牌、检测报告与现行标准为准，重大决策建议咨询专业人士。
- 1240 常数哪来的？
- hc≈1240 eV·nm，故 λ(nm)=1240/E(eV)，便于能带-波长换算。
- 带隙小吸收范围更宽？
- 是；带隙越小截止波长越长，可吸收更多太阳光（但电压更低）。