Current Pressure Drop

📐 工作原理与说明

二极管正向压降与功耗
Vd = V₀ − 0.002 × (T − 25) + 0.026 × ln(I / 10)
V₀ 基准压降：硅二极管 0.7V｜锗二极管 0.3V｜肖特基 0.3V
温度项：每升高 1°C 压降约降 2mV（负温度系数）
对数项：电流相对 10mA 每增 10 倍，压降增 0.026V
功耗 P(W) = Vd × 工作电流(A)

Key formulas: v0-0.002×(tp-25)+0.026×Math.log(im÷10); vd×im÷1000

正向电流 (mA)

工作温度 (℃)

二极管类型

💡 Vd = V0 − 0.002×(T−25) + 0.026×ln(I÷10)；功耗 P = Vd × I

Formula & Standard References

Item	Formula / Note	Source / Standard
Diode forward voltage	Schottky ≈0.3–0.4 V; Si PN ≈0.6–0.7 V	Shockley diode equation, 1949
Temperature dependence	≈ −2 mV/°C for Si junction	Sze, Semiconductor Device Physics

⚠️ 使用说明与注意事项

温度系数约−2mV/℃
电流越大压降略增（对数关系）
肖特基压降低、开关速度快

🕘 最近计算

暂无计算记录

📚 深度解析：二极管正向压降

💡 常见使用场景

整流电源：硅二极管 1N4007 If=1A Vf≈0.93V，P≈0.93W（需散热）。
开关电源：肖特基 Vf≈0.3V（低压降高效）。
低压降整流：同步整流 MOSFET Vds≈0.05V。
信号检波：锗二极管 Vf≈0.3V 适合小信号。

硅 1N4148 If=10mA 25℃

Vf≈0.65V；Vf 随 T 减约 -2mV/℃，高温 Vf 下降利于并联均流。

❓ 常见问题（FAQ）

Vf 与温度关系？: 硅管 Vf 温度系数约 -2mV/℃（反向漏电随温升）；肖特基类似但漏电更大。本工具为电子电路基础辅助计算，结果仅供电路设计与教学参考，不替代正式 PCB 设计、电磁兼容与产品可靠性要求。
为何肖特基 Vf 低？: 金属-半导体结势垒比 PN 结低，电子是多数载流子，无少子存储反向恢复快。本工具为电子电路基础辅助计算，结果仅供电路设计与教学参考，不替代正式 PCB 设计、电磁兼容与产品可靠性要求。
功率二极管反向恢复影响？: 快恢复二极管/肖特基反向恢复时间短，开关损耗低；整流桥恢复慢→开关损耗大。本工具为电子电路基础辅助计算，结果仅供电路设计与教学参考，不替代正式 PCB 设计、电磁兼容与产品可靠性要求。

📖关于「二极管正向压降」 ▼

📝工具简介

二极管正向压降计算工具根据正向电流与工作温度，结合二极管类型（硅/锗/肖特基），估算正向压降与导通功耗，辅助电源与整流电路设计。

✨功能特点

三种二极管类型可选
温度与电流修正
功耗自动计算
支持历史记录

🎯使用场景

整流电路设计
电源功耗估算
热设计评估
二极管选型

二极管正向压降