并联等效（C = C₁ + C₂） - 总电容增大

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Capacitors in Parallel

Add multiple capacitances (μF/pF) to get the equivalent parallel capacitance C_eq = C₁ + C₂ + … and note that the voltage rating is the minimum.

📐 计算公式

C = C₁ + C₂

并联电容总和即为等效电容。

电容 C₁ (µF)

电容 C₂ (µF)

📌 计算说明

C_eq = C₁ + C₂。
10+22 = 32 µF。

📚 深度解析：并联电容

💡 常见使用场景

储能阵列：多电容并联提升储能。
去耦电容：芯片 VCC 引脚多电容并联（不同频段）。
电源滤波：低 ESR 大电容并联减小纹波。
电机启动：启动电容并联增大启动转矩。

C1=10μF、C2=22μF、C3=47μF 并联

C=10+22+47=79μF；耐压取三者最低；高频去耦再并 100nF。

❓ 常见问题（FAQ）

并联电容耐压怎么定？: 取最小者；若 16V+25V+50V 并联，整体耐压仅 16V。本工具为电磁学/电路基础辅助计算，结果仅供教学与方案预研参考，不替代正式工程设计、电磁兼容标准与持证工程师的判定。
并联后 ESR 怎么变？: ESR 并联同电阻并联：1/R总=Σ1/Ri；可显著降低等效电阻，改善纹波。本工具为电磁学/电路基础辅助计算，结果仅供教学与方案预研参考，不替代正式工程设计、电磁兼容标准与持证工程师的判定。
为何多频段去耦要并不同电容？: 不同电容在不同频段阻抗最低：100nF 主导 100MHz 频段，10μF 主导 1MHz，1nF 主导 GHz。本工具为电磁学/电路基础辅助计算，结果仅供教学与方案预研参考，不替代正式工程设计、电磁兼容标准与持证工程师的判定。