光刻解析度與焦深估算（瑞利判據） 使用指南
演算法（瑞利）：解析度 R = k1 × λ / NA（nm）；總焦深 DOF = 2 × k2 × λ / NA²（nm），半焦深 = k2 × λ / NA²；k1、k2 為工藝…
核心功能
- 半導體工藝節點評估：輸入波長與數值孔徑 NA，按瑞利判據估解析度與焦深
- 光刻機選型：對比 DUV/EUV 可達最小線寬
- 工藝視窗：焦深關係套刻容差與產線良率
適用場景
- 半導體工藝節點評估：輸入波長與數值孔徑 NA，按瑞利判據估解析度與焦深
- 光刻機選型：對比 DUV/EUV 可達最小線寬
- 工藝視窗：焦深關係套刻容差與產線良率
使用步驟
- 方法
- 算例
實用技巧
- 半導體工藝節點評估：輸入波長與數值孔徑 NA，按瑞利判據估解析度與焦深
- 光刻機選型：對比 DUV/EUV 可達最小線寬
- 工藝視窗：焦深關係套刻容差與產線良率
常見問題
- k1 因子什麼意思？
- 瑞利常數，反映工藝難度與照明/掩模最佳化水平；k1 越小解析度越高，但受解析度增強技術（OPC、相移）與物理極限約束。
- 焦深為什麼重要？
- DOF 是清晰成像的軸向容差；DOF 小則 wafer 平整度/調焦要求更嚴，直接影響套刻良率；浸沒式與大 NA 會壓縮 DOF。