光刻分辨率估算

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🔮 Lithography Resolution & DOF (Rayleigh)

From exposure wavelength and numerical aperture, estimates lithographic resolution and depth of focus by the Rayleigh criterion for semiconductor process-node assessment.

📐 计算公式
分辨率 R = k1 × λ / NA；焦深 DOF = k2 × λ / NA²
基于瑞利判据/光刻分辨率模型：最小特征尺寸 R 与光源波长 λ 成正比、与数值孔径 NA 成反比（k1 为工艺因子）；焦深 DOF ∝ λ/NA²（k2 因子），用于光刻工艺窗口评估。
💡 瑞利判据：分辨率 R = k1 · λ ÷ NA；焦深 DOF = ± k2 · λ ÷ NA²。k1 反映工艺难度（极限约 0.25），NA 为投影透镜数值孔径，浸没式光刻 NA 可达 1.35。

Formula & Standard References

Item Formula / Note Source / Standard
Rayleigh criterionR = k1·λ/NARayleigh criterion
Numerical apertureNA = n·sin θOptics fundamentals
Depth of focusDOF = k2·λ/NA²Lithography principles
k1 factorProcess factor, 0.25 theoretical limitSemiconductor lithography
Resolution enhancementOPC, PSM, immersion lithographyLithography evolution
Exposure wavelength365 → 248 → 193 → 13.5 nmTechnology roadmap
⚠️ 使用说明与注意事项
  • NA 必须大于0，浸没式 NA 可超过1
  • 实际分辨率还受光刻胶、工艺优化影响
  • k1=0.25 为理论极限值，量产 k1 通常 0.3-0.4
  • 本工具纯前端运行，数据不会上传到服务器

🕘 最近计算

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📚 深度解析：光刻分辨率与焦深估算（瑞利判据）

💡 常见使用场景

方法
算法（瑞利）：分辨率 R = k1 × λ / NA（nm）；总焦深 DOF = 2 × k2 × λ / NA²（nm），半焦深 = k2 × λ / NA²；k1、k2 为工艺因子（典型 0.25~0.4、0.5~0.8）。NA>1 为浸没式。
算例
例：193nm、NA1.35、k1=0.25、k2=0.5 → R=35.74nm（0.0357μm）、DOF=105.9nm、半焦深 52.9nm。若 13.5nm(EUV)、NA0.33 → R=10.23nm、DOF=124nm。若 365nm、NA0.5、k1=0.4 → R=292nm、DOF=1752nm。

❓ 常见问题（FAQ）

k1 因子什么意思？
瑞利常数，反映工艺难度与照明/掩模优化水平；k1 越小分辨率越高，但受分辨率增强技术（OPC、相移）与物理极限约束。
焦深为什么重要？
DOF 是清晰成像的轴向容差；DOF 小则 wafer 平整度/调焦要求更严，直接影响套刻良率；浸没式与大 NA 会压缩 DOF。

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📖关于「光刻分辨率估算」 ▼

📝工具简介

光刻分辨率估算器基于瑞利判据，根据光源波长、数值孔径 NA 与工艺系数 k1/k2 估算光刻分辨率与焦深，适用于半导体工艺节点评估与光刻系统选型。

✨功能特点

🎯使用场景