光刻分辨率与焦深估算（瑞利判据） 使用指南
算法（瑞利）：分辨率 R = k1 × λ / NA（nm）；总焦深 DOF = 2 × k2 × λ / NA²（nm），半焦深 = k2 × λ / NA²；k1、k2 为工艺…
核心功能
- 半导体工艺节点评估：输入波长与数值孔径 NA，按瑞利判据估分辨率与焦深
- 光刻机选型：对比 DUV/EUV 可达最小线宽
- 工艺窗口：焦深关系套刻容差与产线良率
适用场景
- 半导体工艺节点评估：输入波长与数值孔径 NA，按瑞利判据估分辨率与焦深
- 光刻机选型：对比 DUV/EUV 可达最小线宽
- 工艺窗口：焦深关系套刻容差与产线良率
使用步骤
- 方法
- 算例
实用技巧
- 半导体工艺节点评估：输入波长与数值孔径 NA，按瑞利判据估分辨率与焦深
- 光刻机选型：对比 DUV/EUV 可达最小线宽
- 工艺窗口：焦深关系套刻容差与产线良率
常见问题
- k1 因子什么意思？
- 瑞利常数，反映工艺难度与照明/掩模优化水平；k1 越小分辨率越高，但受分辨率增强技术（OPC、相移）与物理极限约束。
- 焦深为什么重要？
- DOF 是清晰成像的轴向容差；DOF 小则 wafer 平整度/调焦要求更严，直接影响套刻良率；浸没式与大 NA 会压缩 DOF。