光刻解析度估算

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🔬 Estimate 36

Estimate 36 is available directly in your browser, with no data uploaded.

💡 瑞利判據：解析度 R = k1 · λ ÷ NA；焦深 DOF = ± k2 · λ ÷ NA²。k1 反映工藝難度（極限約 0.25），NA 為投影透鏡數值孔徑，浸沒式光刻 NA 可達 1.35。
⚠️ 使用說明與注意事項
  • NA 必須大於0，浸沒式 NA 可超過1
  • 實際解析度還受光刻膠、工藝最佳化影響
  • k1=0.25 為理論極限值，量產 k1 通常 0.3-0.4
  • 本工具純前端執行，資料不會上傳到伺服器

🕘 最近計算

暫無計算記錄

📚 深度解析：光刻解析度估算

💡 常見使用場景

快速複核「光刻解析度估算」
先用基礎引數跑一次基準值，再把核心輸入提高 10% 與 50% 做對比運算，確認輸出變化是否合理。

❓ 常見問題（FAQ）

光刻解析度估算 結果可用於直接報告嗎？
光刻解析度估算 適合用於內部複核與說明，正式材料請附帶口徑、邊界條件和輸入範圍說明。
結果看似異常，該怎麼快速排查？
先核對是否有百分號/小數口徑衝突，再檢查是否觸發了數學域外定義（如對數、開方、除零）。

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📖關於「光刻解析度估算」 ▼

📝工具簡介

光刻解析度估算器基於瑞利判據，根據光源波長、數值孔徑 NA 與工藝係數 k1/k2 估算光刻解析度與焦深，適用於半導體工藝節點評估與光刻系統選型。

✨功能特點

🎯使用場景

💬常見問題

為什麼浸沒式 NA 能大於1？
浸沒式光刻在鏡頭與晶圓間注入純水（n≈1.44）或其他液體，使介質折射率大於空氣，NA = n·sinθ 可超過1，從而提升解析度。
k1 越小越好嗎？
k1 越小解析度越高，但工藝難度越大，對掩膜最佳化、光源形狀與光刻膠要求越高，量產 k1 一般不低於 0.25。
我的資料會被上傳嗎？
不會。所有計算均在瀏覽器本地完成，資料不會發送到任何伺服器。