光刻解析度估算

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📖 檢視「光刻解析度與焦深估算（瑞利判據）使用指南」

🔮 Lithography Resolution & DOF (Rayleigh)

From exposure wavelength and numerical aperture, estimates lithographic resolution and depth of focus by the Rayleigh criterion for semiconductor process-node assessment.

📐 計算公式
解析度 R = k1 × λ / NA；焦深 DOF = k2 × λ / NA²
基於瑞利判據/光刻解析度模型：最小特徵尺寸 R 與光源波長 λ 成正比、與數值孔徑 NA 成反比（k1 為工藝因子）；焦深 DOF ∝ λ/NA²（k2 因子），用於光刻工藝視窗評估。
💡 瑞利判據：解析度 R = k1 · λ ÷ NA；焦深 DOF = ± k2 · λ ÷ NA²。k1 反映工藝難度（極限約 0.25），NA 為投影透鏡數值孔徑，浸沒式光刻 NA 可達 1.35。
⚠️ 使用說明與注意事項
  • NA 必須大於0，浸沒式 NA 可超過1
  • 實際解析度還受光刻膠、工藝最佳化影響
  • k1=0.25 為理論極限值，量產 k1 通常 0.3-0.4
  • 本工具純前端執行，資料不會上傳到伺服器

🕘 最近計算

暫無計算記錄

📚 深度解析：光刻解析度與焦深估算（瑞利判據）

💡 常見使用場景

方法
演算法（瑞利）：解析度 R = k1 × λ / NA（nm）；總焦深 DOF = 2 × k2 × λ / NA²（nm），半焦深 = k2 × λ / NA²；k1、k2 為工藝因子（典型 0.25~0.4、0.5~0.8）。NA>1 為浸沒式。
算例
例：193nm、NA1.35、k1=0.25、k2=0.5 → R=35.74nm（0.0357μm）、DOF=105.9nm、半焦深 52.9nm。若 13.5nm(EUV)、NA0.33 → R=10.23nm、DOF=124nm。若 365nm、NA0.5、k1=0.4 → R=292nm、DOF=1752nm。

❓ 常見問題（FAQ）

k1 因子什麼意思？
瑞利常數，反映工藝難度與照明/掩模最佳化水平；k1 越小解析度越高，但受解析度增強技術（OPC、相移）與物理極限約束。
焦深為什麼重要？
DOF 是清晰成像的軸向容差；DOF 小則 wafer 平整度/調焦要求更嚴，直接影響套刻良率；浸沒式與大 NA 會壓縮 DOF。

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📖關於「光刻解析度估算」 ▼

📝工具簡介

光刻解析度估算器基於瑞利判據，根據光源波長、數值孔徑 NA 與工藝係數 k1/k2 估算光刻解析度與焦深，適用於半導體工藝節點評估與光刻系統選型。

✨功能特點

🎯使用場景