並聯等效（C = C₁ + C₂） - 總電容增大

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Capacitors in Parallel

Add multiple capacitances (μF/pF) to get the equivalent parallel capacitance C_eq = C₁ + C₂ + … and note that the voltage rating is the minimum.

📐 計算公式

C = C₁ + C₂

並聯電容總和即為等效電容。

電容 C₁ (µF)

電容 C₂ (µF)

📌 計算說明

C_eq = C₁ + C₂。
10+22 = 32 µF。

📚 深度解析：並聯電容

💡 常見使用場景

儲能陣列：多電容並聯提升儲能。
去耦電容：晶片 VCC 引腳多電容並聯（不同頻段）。
電源濾波：低 ESR 大電容並聯減小紋波。
電機啟動：啟動電容並聯增大啟動轉矩。

C1=10μF、C2=22μF、C3=47μF 並聯

C=10+22+47=79μF；耐壓取三者最低；高頻去耦再並 100nF。

❓ 常見問題（FAQ）

並聯電容耐壓怎麼定？: 取最小者；若 16V+25V+50V 並聯，整體耐壓僅 16V。本工具為電磁學/電路基礎輔助計算，結果僅供教學與方案預研參考，不替代正式工程設計、電磁相容標準與持證工程師的判定。
並聯後 ESR 怎麼變？: ESR 並聯同電阻並聯：1/R總=Σ1/Ri；可顯著降低等效電阻，改善紋波。本工具為電磁學/電路基礎輔助計算，結果僅供教學與方案預研參考，不替代正式工程設計、電磁相容標準與持證工程師的判定。
為何多頻段去耦要並不同電容？: 不同電容在不同頻段阻抗最低：100nF 主導 100MHz 頻段，10μF 主導 1MHz，1nF 主導 GHz。本工具為電磁學/電路基礎輔助計算，結果僅供教學與方案預研參考，不替代正式工程設計、電磁相容標準與持證工程師的判定。