蝕刻時間計算

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🧮 Etching Time Calculator

From etchant concentration and temperature, estimates the etch rate and computes the time needed to reach a target depth.

📐 計算公式
速率 ∝ Q₁₀^(T/10)（範特霍夫規則，Q₁₀≈2）
基於溼法蝕刻速率溫度模型：依據範特霍夫規則（溫度每升 10℃ 速率約翻倍，Q₁₀≈2），結合濃度與目標蝕刻深度推算所需蝕刻時間，用於蝕刻工藝控制。
💡 蝕刻速率 = 1.0 × (濃度/40)^0.8 × 2^((溫度-50)/10) μm/min；時間 = 深度 / 速率；溫度每升高10℃速率約翻倍
⚠️ 注意事項
  • 按 Enter 快速計算，Ctrl/Cmd + Enter 複製結果
  • 預設參考氯化鐵蝕刻銅的典型速率，其他材料需修正
  • 實際蝕刻速率受攪拌、新舊液、銅箔厚度等因素影響
  • 建議通過試蝕刻校準實際速率後再批次使用

🕘 最近計算

暫無計算記錄

📚 深度解析：蝕刻時間計算（速率、溫度與濃度影響）

💡 常見使用場景

方法
演算法：基準速率 1.0μm/min（40% 濃度、50℃ 條件下）；濃度係數 = (濃度/40)^0.8；溫度係數 = 2^((溫度−50)/10)，即溫度每升高 10℃ 速率翻倍；蝕刻速率 = 1.0×濃度係數×溫度係數；所需時間 = 目標深度/速率（min）；含 10% 過蝕刻時間 = 深度×1.1/速率。提示：速率 <0.5μm/min 建議升溫或加濃，>5μm/min 注意過蝕刻風險。
算例
例：濃度 40%、溫度 50℃、目標深度 35μm → 速率 1.000μm/min、所需時間 35.0min（2100s）、溫度係數 1.00、濃度係數 1.00、含 10% 過蝕刻 38.5min，判定「蝕刻速率適中，工藝引數合理」。若溫度升到 60℃ → 溫度係數 2.00、速率 2.000μm/min、時間縮短到 17.5min。若溫度降到 30℃ → 溫度係數 0.25、速率 0.250μm/min、時間延長到 140.0min，並提示「蝕刻速率偏低，建議升溫或增大濃度」。若濃度提到 80% → 濃度係數 1.741、速率 1.741μm/min、時間 20.1min。

❓ 常見問題（FAQ）

溫度每升高 10℃ 速率翻倍，依據是什麼？
這是化學反應速率的經驗規律（範特霍夫規則/Q₁₀ 溫度係數），對多數溼法蝕刻在窄溫區內成立。不同蝕刻體系的實際活化能差異很大，有些體系 Q₁₀ 接近 2，有些只有 1.5 左右，正式工藝應以實測速率曲線擬合。
為什麼強調溫度均勻性？
由於速率對溫度極敏感，槽液溫差 2℃ 就會帶來約 15% 的速率差（2^(2/10)=1.149），直接表現為同一工件不同位置的刻深不均。因此精密蝕刻需配備迴圈攪拌與精密溫控，把槽液溫差控制在 ±1℃ 以內。

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📝工具簡介

蝕刻時間計算器根據蝕刻液濃度和溫度估算蝕刻速率，計算達到目標蝕刻深度所需的時間。適用於PCB製造、化學蝕刻加工等場景的工藝引數快速估算。

✨功能特點

🎯使用場景